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下面我们以硅太阳能电池为例

作者:admin发布时间:2020-12-04 11:07

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  随着全球能源日趋紧张, 太阳能成为新型能源得到了大力的开发, 其中我们在生活中使用最 多的就是太阳能电池了。 太阳能电池是以半导体材料为主, 利用光电材料吸收光能后发生光 电转换, 使它产生电流, 那么太阳能电池的工作原理是怎么样的呢?太阳能电池是通过光电 效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。 当太阳光照射到半导体上时, 其中一部 分被表面反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光,当然有一些变成热,另一些 光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子—空穴对。这样,光能就以产生电子 —空穴对的形式转变为电能。 一、太阳能电池的物理基础 当太阳光照射p-n结时, 在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子, 相应地便产生了 电 子——空穴对,并在势垒电场的作用下,电子被驱向型区,空穴被驱向P型区,从而使 凡区有过剩的 电子,P区有过剩的空穴。于是,就在p-n结的附近形成了与势垒电场方 向相反的光生电场。 如果半导体内存在 P—N 结, 则在 P 型和 N 型交界面两边形成势垒电场, 能将电子驱向 N 区, 空穴驱向 P 区,从而使得 N 区有过剩的电子,P 区有过剩的空穴,在 P—N 结附近形成与势 垒电场方向相反光的生电场。 制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种,因此太阳电池的种类也很多。目前,技术最成 熟,并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。下面我们以硅太阳能电池为例,详细介绍 太阳能电池的工作原理。 1、本征半导体 物质的导电性能决定于原子结构。 导体一般为低价元素, 它们的最外层电子极易挣脱原子核 的束缚成为自由电子, 在外电场的作用下产生定向移动, 形成电流。 高价元素 (如惰性气体) 或高分子物质(如橡胶) ,它们的最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子,所 以导电性极差,成为绝缘体。常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素,它们的 最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚, 也不像绝缘体那样被原子核束缚的那么 紧,因而其导电性介于二者之间。 将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体, 即为本征半导体。晶体中的原子在空间 形成排列整齐的点阵,相邻的原子 形成共价键。 晶体中的共价键具有极强 的结合力,因此,在常温下,仅有极少数的价电子由于热运动(热激发)获得足够的能量, 从而挣脱共价键的束缚变成为自由电子。与此同时,在共价键中留下一个空穴。原子因失掉 一个价电子而带正电, 或者说空穴带正电。 在本征半导体中, 自由电子与空穴是成对出现的, 即自由电子与空穴数目相等。 自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴, 使两者同时消失, 这种现象称为复 合。在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子和空穴对数 目相等,故达到动态平衡。 能带理论: 1、单个原子中的电子在绕核运动时,在各个轨道上的电子都各自具有特定的能量; 2、越靠近核的轨道,电子能量越低; 3、根据能量最小原理电子总是优先占有最低能级; 4、价电子所占据的能带称为价带; 5、价带的上面有一个禁带,禁带中不存在为电子所占据的能级; 6、禁带之上则为导带,导带中的能级就是价电子挣脱共价键束缚而成为自由电子所能占据 的能级; 7、禁带宽度用 Eg 表示,其值与半导体的材料及其所处的温度等因素有关。T=300K 时,硅 的 Eg=1.1eV;锗的 Eg=0.72eV。 2、杂质半导体 杂质半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量杂质元素,便可得到杂质半导体。 按掺入的杂质元素不用,可形成 N 型半导体和 P 型半导体;控制掺入杂质元素的浓度,就可 控制杂质半导体的导电性能。 N 型半导体: 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷) ,使之取代晶格中硅原子的位置,就 形成了 N 型半导体。 由于杂质原子的最外层有 五个价电子,所以除了与其周围硅原子形成共价键外,还多出一个电子。多出的电子不受共 价键的束缚,成为自由电子。N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故称自由电 子为多数载流子,空穴为少数载流子。由于杂质原子可以提供电子,故称之为施主原子。 P 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼) ,使之取代晶格中硅原子的位置,就 形成了 P 型半导体。 由于杂质原子的最外层有三个价电子, 所以当它们与其周围硅原子形成共价键时, 就产生了 一个“空位”,当硅原子的最外层电子填补此空位时,其共价键中便产生一个空穴。因而 P 型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子。因杂质原子中的空位吸收电子,故称之为受主 原子。 3、PN 结 PN 结:采用不同的掺杂工艺,将 P 型半导体与 N 型半导体制作在同一块硅片上,在它们的 交界面就形成 PN 结。 扩散运动:物质 总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。 当把 P 型半导体和 N 型半导体制作在一起时,在它们的交界面,两种载流子的浓度差很大, 因而 P 区的空穴必然向 N 区扩散,与此同时,N 区的自由电子也必然向 P 区扩散,如图示。 由于扩散到 P 区的自由电子与空穴复合, 而扩散到 N 区的空穴与自由电子复合, 所以在交界 面附近多子的浓度下降,P 区出现负离子区,N 区出现正离子区,它们是不能移动的,称为 空间电荷区,从而形成内建电场 ε 。 随着扩散运动的进行,空间电荷区加宽,内建电场增强,其方向由 N 区指向 P 区,正好阻止 扩散运动的进行。 漂移运动:在电场力作用下,载流子的运动称为漂移运动。 当空间电荷区形成后,在内建电场作用下,少子产生飘移运动,空穴从 N 区向 P 区运动,而 自由电子从 P 区向 N 区运动。 在无外电场和其它激发作用下, 参与扩散运动的多子数目等 于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成 PN 结,如图示。 区具有一定的宽度,电位差为 ε =Uho,电流为零。 此时,空间电荷 二、太阳能电池工作原理 1

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